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在具有浮动离子栅的TFT中，案例随着摩擦纳米发电机（TENG）工作周期的控制，案例所产生的微等离子中的氧气负离子吸附在纳米线表面，作为浮动的离子栅对电流进行逐步调谐，电流的最大开关比达到4.0×105。（d）、些小罪刑（e）及（f）为未施加SIG调控时器件相应的I-V-T曲线。
【成果简介】近期，重罪重河南大学特种功能材料教育部重点实验室程纲教授团队利用原子层沉积技术（ALD）在梳状电极上制备了Cd(OH)2@ZnO纳米线薄膜，重罪重利用Cd(OH)2纳米线作为骨架制备了大比表面积、高灵敏度的ZnO薄膜晶体管（TFT）和ZnO薄膜光电探测器（TFP）。前期研究结果证明，案例无论是对于一维的纳米线肖特基势垒，案例还是二维的MoS2薄膜，均可实现气体离子在表面的吸附，并作为浮动的离子栅极来调控半导体的光电传输特性，在发展高性能光电器件方面具有广泛的应用前景。